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MJ11012中文资料

MJ11012图片

MJ11012外观图

  • 大小:51.92KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Darlington
  • 配置:Single
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 集电极—基极电压 VCBO:60 V
  • 最大直流电集电极电流:30 A
  • 功率耗散:200 W
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-204-2 (TO-3)
  • 封装:Tray
  • 集电极连续电流:30 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:200, 1000
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 工厂包装数量:100

MJ11012供应商

更新时间:2022-12-31 16:01:56
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